SK海力士全球首发超300层单步蚀刻AIP技术，突破3D NAND堆叠极限，引领存储新纪元。
在2026年韩国半导体展SEMICON Korea上，SK海力士副总裁首次对外披露了公司正加速推进的AIP（All-in-Plug）技术研发进展。这一发布并非泛泛而谈的技术预告，而是面向量产落地的关键节点宣告——意味着该技术已跨越实验室验证阶段，进入工程化攻坚与产线适配新阶段。
据披露，AIP技术可实现单次蚀刻超过300层的3D NAND堆叠结构，显著突破当前行业主流工艺仅支持100至200层的物理与工艺瓶颈。值得注意的是，这一“单次蚀刻”能力并非简单叠加层数，而是通过重构插塞式填充（Plug-based filling）与多层同步图形化工艺，大幅压缩光刻—刻蚀—沉积循环次数。业内普遍认为，层数跃升背后是热应力控制、层间对准精度及高深宽比孔洞填充良率等一揽子难题的系统性突破，其技术门槛远超单纯增加堆叠层数本身。
此项技术将率先导入V11 NAND产品，标志着SK海力士正以“架构先行”策略抢滩下一代存储器迭代窗口。相较于依赖制程微缩的传统路径，AIP代表了一种更务实的垂直集成升级范式：在不强制推进至更激进线宽的前提下，通过结构创新释放存储密度与成本优势。预计该技术将大幅提升制造效率，并有效降低单位产能成本——这对当前面临资本开支高企、终端需求结构性放缓的NAND产业而言，无疑是一剂强心针。
需要指出的是，300层+并非终点，而是新竞争起点。随着美日韩厂商在3D NAND堆叠层数上的“军备竞赛”持续升温，AIP若能如期导入V11并稳定量产，或将重新定义中长期技术路线图的话语权分配。但也要清醒看到，良率爬坡、设备兼容性及客户验证周期仍是横亘在纸面参数与市场价值之间的现实鸿沟。技术领先一步，不等于商业领先一路；真正的考验，将在2026年下半年V11试产数据公布时见分晓。
